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PVD(物理气相沉积)的简要描述
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佳达

时间 : 2020-04-05 16:30 浏览量 : 12

 PVD(物理气相沉积)的简要描述

 PVD(物理气相沉积)被转换为物理气相沉积,但是氩气会通过磁场放电而被电离,加速,撞击被称为靶的金属板,然后将金属原子从那里击落并置于相反的一侧这是在晶片上形成膜。也称为飞溅,但是飞溅是可以在篝火上破裂并弹出的图像。这是一种先进的成膜工艺。它在半导体工艺中异常稳定,几乎不产生颗粒(粉尘),因此可以放心使用!

PVD设备

 图1是PVD设备的示意图。基本压力约为10-7Pa,这是半导体制造设备的真空水平。残留气体对薄膜质量影响很大。例如,如果存在氧气或水蒸气,则会被吸收到薄膜中并被氧化,因此,在配线等中,电阻会增加,结晶作用会不佳,薄膜质量会变差,配线会立即断裂,从而引起各种不良情况。 。真空度必须严格控制。氩气,N2等被引入真空室并被低温泵排出。被称为靶的金属板被附着到上部,并且由放电产生的氩加上离子被电场吸引并剧烈地与靶碰撞。金属原子从靶子中射出,粘附到对面的晶片上,并生长成膜。晶片放置在基座基座上,但是在底部有一个加热源,在处理过程中将其从室温加热到高温。将氩气引入晶片的背面以改善热传导和热均匀性。这被称为氩气卡盘,但这是半导体中经常使用的一种技术。加热温度是决定膜的应力和晶体的重要因素。永磁体位于靶的后面,并由电动机驱动以有效地产生等离子体放电。磁场辅助可增强等离子体强度,提高溅射速率并提高批量生产能力。这称为磁控溅射。设备较大,可以处理高真空。

 您经常看到的设备看起来像是称为群集工具的空间站。处理室围绕传送室连接。机械手从前台的盒式装载锁定室传送晶圆。如果这样做,随着晶片被传送到后腔室,真空度将增加,因此当到达处理腔室时,将在高真空度下执行处理。该设计已被许多设备制造商采用,因为它可以连续施加复合膜并能够处理各种工艺。

 在硅表面上溅射时必须小心。硅表面具有通过与空气中的氧气和水蒸气反应而形成的天然氧化膜。由于是室温,因此薄至数纳米,并且较弱,但是由于是绝缘膜,因此存在电阻增大等问题。在通过PVD沉积之前必须将其除去。设备中还装有一个预清洁室(预处理),该室用于通过用CF4或氩气蚀刻来去除硅表面的自然氧化膜。

 近年来,CVD涂层的应用已呈趋势发展,但PVD是一项长期且复杂的工艺,不会产生粉尘或副产品,膜层质量良好,并且通过更改目标可以改变涂层类型。它具有许多优点,例如可以使用并且仍然经常使用。尽管布线有许多应用,但是还有一种附着绝缘膜的工艺,该工艺需要特别在低温下进行。


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